图片仅供参考,产品以实物为准
| 标准包装 | 4,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 1.13A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 800 mOhm @ 570mA, 5V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | - |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 15nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 430pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商器件封装 | SOT-223-3 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 4SOT-223 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大连续漏极电流 | 1.13 A |
| RDS -于 | 800@5V mOhm |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 6 ns |
| 典型上升时间 | 24 ns |
| 工作温度 | -55 to 150 °C |
| 安装 | Surface Mount |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 1.13A (Ta) |
| 封装/外壳 | TO-261-4, TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223-3 |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 800 mOhm @ 570mA, 5V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 2W |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 430pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 15nC @ 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 类型 | MOSFET |
| 下降时间 | 6 ns |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 配置 | Single |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| 正向跨导 - 闵 | 2.8 S |
| Id - Continuous Drain Current | 1.13 A |
| 长度 | 6.5 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 800 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
| 典型关闭延迟时间 | 6 ns |
| 系列 | IRLM220A |
| 身高 | 1.8 mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 2 W |
| 上升时间 | 24 ns |
| 技术 | Si |
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